新闻动态
全部新闻公司新闻行业新闻

2019

03/15

英特尔Optane的对手来了,西部数据正在开发LLF低延迟闪存

据AnandTech报道,西部数据正在开发自己的低延迟闪存,与传统的3D NAND相比,它将提供更高的性能和耐用性,最终设计用于与英特尔的Optane存储竞争。

在本周的Storage Field Day,西部数据谈到了其新的低延迟闪存NAND。该技术适用于3D NAND和DRAM之间,类似于英特尔的Optane存储和三星的Z-NAND。与西部数据类似,LLF内存将具有“微秒范围内”的访问时间,使用每单元1bit和每单元2bit的体系结构。

图片关键词

西部数据承认其LLF是一种非常快速的定制设备,因为它是为性能量身定制的。这种内存的成本比DRAM低10倍,但是按照每GB价格计算,其成本是3D NAND的20倍(至少基于今天的估计),因此它只能用于针对数据中心或高端的精选应用程序工作站,类似于今天的Optane和Z-NAND。

图片关键词

西部数据没有透露有关其LLF的所有细节,也无法说明它是否与去年推出的东芝XL-Flash低延迟3D NAND以及其他特殊类型的闪存有关。很自然,该公司也不愿谈论基于其LLF内存的实际产品,或者什么时候它们可用。同时,西部数据的LLF属于BICS4系列3D NAND存储器,因此即使在今天也可以生产。

图片关键词

虽然西部数据的低延迟闪存将与英特尔的Optane和三星的Z-NAND SSD竞争,但该公司并未将LLF称为存储级内存(SCM)。

从长远来看,西部数据正在内部开发基于ReRAM的SCM,并在HP 上开发基于忆阻器的SCM。不过,研发周期需要很多年,看起来西部数据在采用下一代技术之前,将采用更熟悉的NAND闪存来满足需要容量和性能的应用。

摘自【摩尔芯闻】,如有侵权,请联系删除。