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2019

08/05

国家存储器基地项目有新进展 目标量产指日可待

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国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统已经受电成功,终端机台的电力供给得到保证,芯片的目标量产指日可待。

据了解,长江存储科技有限责任公司是国家存储器基地项目的实施主体。根据武汉市此前公布的2019年第一季度政府工作报告执行情况显示,武汉东湖新技术开发区在存储器基地方面取得了重大进展,长江存储器基地一期已实现量产,一季度产能达到5000片/月,办公人数已达3000人。同时国家先进存储产业创新中心也已完成法人主体注册。

2019年7月3日,湖北省委副书记、省长王晓东在调研国家存储器基地时指出,要优化环境、全力支持,更大力度争取国家支持并落实支持政策,完善服务机制,当好项目“秘书”,解决实际难题,全力保障国家存储器基地建设,为加快“一芯两带三区”区域和产业发展布局提供重要支撑。

据了解,国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其它若干配套建筑。

根据此前的资料显示,长江存储今年底前将正式量产64层3D NAND产品,明年将直攻128层以缩减与其他供应商的差距。

国家存储器基地的建立,以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,建成后,还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展,标志着芯片自主创新之路迈出可靠而重要的一步。

摘自【摩尔芯闻】